DRE-2C導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀（瞬態(tài)平面熱源法），主要測(cè)量固體、粉末、涂層、薄膜、各向異性材料等的導(dǎo)熱系數(shù)。

產(chǎn)品介紹

湘潭湘科DRE-2C導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀（瞬態(tài)平面熱源法），瞬態(tài)平面導(dǎo)熱儀,巖石巖土導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀

DRE-2C導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀采用瞬態(tài)平面熱源法，主要測(cè)量固體、粉末、涂層、薄膜、各向異性材料等的導(dǎo)熱系數(shù)。本儀器基于TPS瞬態(tài)平面熱源技術(shù)，用Hot Disk作為探頭的導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定儀。

Hot Disk法的優(yōu)點(diǎn)有：

（1）直接測(cè)量熱傳播，可以節(jié)約大量的時(shí)間；

(2）不會(huì)和靜態(tài)法一樣受到接觸熱阻的影響；

（3）無(wú)須特別的樣品制備，只需相對(duì)平整的樣品表面。

DRE-2C導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀（瞬態(tài)平面熱源法）主要技術(shù)指標(biāo)：

1、導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定范圍：0.0001—300W/mk,分辨率:0.0001 W/(m·K)；

2、測(cè)量時(shí)間：1-600秒,

3、測(cè)量相對(duì)誤差：≤3%；重復(fù)性誤差：≤ 3%；

4、溫度范圍：標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量：室溫，可根據(jù)客戶(hù)要求選配各種溫度段的測(cè)試溫度，如室溫～150℃選配恒溫實(shí)驗(yàn)箱,-40℃～100℃選配高低溫實(shí)驗(yàn)箱等，費(fèi)用另計(jì)；

5、樣品尺寸：

固體塊狀樣品：樣品尺寸不小于30*30*7.5mm;單層不夠的可多層疊加檢測(cè)，相對(duì)平整的樣品表面；粉體材料膠體材料可用直接插入探頭檢測(cè)；

6、儀器參考標(biāo)準(zhǔn)：ISO 22007-2008及GB/T32064-2015建筑用材料導(dǎo)熱系數(shù)和熱擴(kuò)散系數(shù)瞬態(tài)平面熱源測(cè)試法.

7、操作方便，測(cè)試速快，僅需將測(cè)試探頭夾在兩塊試樣塊中間，通過(guò)簡(jiǎn)單的軟件點(diǎn)擊操作即能獲得被測(cè)試樣的導(dǎo)熱系數(shù)。

8、 電源：電壓220V；頻率50Hz；功率<500W,

9、通訊接口：USB接口。

探頭技術(shù)指標(biāo)：
1. 加熱材料：金屬鎳；
2. 使用溫度：-50～150℃；
3. 最大功率：20w；
4. 最大電壓：20V；
5. 最大電流：1A；
6. 電阻：10Ω左右，依探頭上標(biāo)注阻值為準(zhǔn)；
7. 鎳絲規(guī)格：厚度0.01mm,熱絲寬度：0.35±0.03mm；熱絲間距：0.35±0.03mm ；
8. 保護(hù)層材料：聚酰亞胺薄膜（Kapton）；單層厚度：0.06mm
9. 探頭直徑：7.5mm或15mm，兩種規(guī)格任選；
10. 探頭總厚度（包括粘結(jié)層厚度）0.07±0.02mm。

儀器配置：含DRE-2C測(cè)試主機(jī)1臺(tái)，測(cè)試探頭1個(gè)，測(cè)試軟件1套，通訊接口及數(shù)據(jù)線(xiàn)1套，樣品夾具1個(gè)，電腦1臺(tái)，如需選配恒溫裝置，費(fèi)用另計(jì)。

湘科品牌，瞬態(tài)平面導(dǎo)熱儀廠家直供，售后保證！